[发明专利]级联的半导体器件有效
| 申请号： | 201410136435.9 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104104384B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 亨克里斯·科内利斯·约翰内斯·布思克尔;马塞厄斯·罗斯 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种级联晶体管电路，具有耗尽模式晶体管和开关装置。栅极偏置电路连接在耗尽模式晶体管的栅极和低电源线之间。栅极偏置电路适用于补偿开关装置的二极管功能的正向电压。将耗尽模式晶体管和栅极偏置电路形成为集成电路的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 级联 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种级联晶体管电路，包括：第一耗尽模式晶体管，其漏极与高电源线相连；开关装置，连接在第一晶体管的源极和低电源线之间，所述开关装置包括用于使能在第一晶体管中的反向电流的二极管功能；以及栅极偏置电路(10)，连接在第一晶体管的栅极和低电源线之间，所述栅极偏置电路适用于补偿开关装置的二极管功能的正向电压，以使所述第一晶体管的栅极正向电压为反向电流而增大；所述栅极偏置电路包括并联并且沿相反方向连接的第一二极管(D1)和第二二极管(D2)；第一二极管的阴极直接连接到第二二极管的阳极，第二二极管的阴极直接连接到第一二极管的阳极；其中第一晶体管和栅极偏置电路形成为集成电路的一部分。
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