[发明专利]一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺

摘要

本发明属于酸锂晶片用具技术领域，尤其涉及一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺。本发明公开了一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺，其步骤如下：A：切割成厚度0.6-1mm的晶片；B：把晶片装入还原炉内还原；C：研磨后用超声波清洗干净；D：粘片工艺；E：研磨工艺；F：抛光工艺；G：清洗工艺：然后装盒。本发明采用2次腐蚀去除晶片内部应力，晶片黑化去静电荷，机械化学法抛光达到超光滑平面，使得各项指标达到TTV<5um，BOW<40um，warp<40um PLTV>95%适合大批量生产。

主权项

一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺，其特征在于，其步骤如下：A：6英寸铌酸锂或钽酸锂晶体用线剧切割成厚度0.6‑1mm的晶片，用自动倒角机倒成C型边，放入腐蚀液中腐蚀8‑10小时；B：把晶片装入还原炉内，晶片和晶片采用还原纸通氮气加热到500‑‑‑600°然后降温到室温，取出还原后的黑色或者茶色铌酸锂或钽酸锂晶片；C：用双面研磨机加1000号绿碳硅砂研磨，设备转速15转/min,反向压力100MPa,根据光栅尺的读数研磨到厚度0.53‑56mm取出晶片，用超声波清洗干净，再放入腐蚀液中腐蚀12‑15小时；D：粘片工艺：把双面研磨好的晶片用自动粘片机粘片，采用液体石蜡，加热到120‑150度，粘片片压力为0.4Mpa,冷却时间为100‑130秒；E：研磨工艺：采用单面研磨机研磨，研磨压力：150g/cm²；砂浆组成：绿碳硅砂:纯水:悬浮剂＝70:20:4，流量15‑‑20L/min，设备转速25转/min,根据光栅尺的读数研磨到厚度0.50‑0.52mm取出晶片，用超声波清洗干净；F：抛光工艺：先把抛光布用修正盘修整好，然后把用超声波清洗过的晶片放在抛光盘上进行抛光，抛光压力：200‑‑300g/cm²  转速：35‑‑40rpm，时间：40‑‑45min，然后转入CMP抛光；G：清洗工艺：把抛好的晶片放在自动取片机上加热到100‑110度后分别取下晶片，然后放入去蜡水中把石蜡去除，然后放入刷洗机中清洗干净，最后转入风刀中烘干，然后装盒。