[发明专利]一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺有效
申请号: | 201410135121.7 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103921205A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 李春忠 | 申请(专利权)人: | 德清晶辉光电科技有限公司 |
主分类号: | B24B37/08 | 分类号: | B24B37/08;B24B37/10;B24B29/02;H01L21/304 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王鹏举 |
地址: | 313200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 英寸 铌酸锂 晶片 钽酸锂 生产工艺 | ||
1.一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺,其特征在于,其步骤如下:
A:6英寸铌酸锂或钽酸锂晶体用线剧切割成厚度0.6-1mm的晶片,用自动倒角机倒成C型边,放入腐蚀液中腐蚀8-10小时;
B:把晶片装入还原炉内,晶片和晶片采用还原纸通氮气加热到500---600°然后降温到室温,取出还原后的黑色或者茶色铌酸锂或钽酸锂晶片;
C:用双面研磨机加1000号绿碳硅砂研磨,设备转速15转/min,反向压力100MPa,根据光栅尺的读数研磨到厚度0.53-56mm取出晶片,用超声波清洗干净,再放入腐蚀液中腐蚀12-15小时;
D:粘片工艺:把双面研磨好的晶片用自动粘片机粘片,采用液体石蜡,加热到120-150度,粘片片压力为0.4Mpa,冷却时间为100-130秒;
E:研磨工艺:采用单面研磨机研磨,研磨压力:150g/cm2;砂浆组成:绿碳硅砂:纯水:悬浮剂=70:20:4,流量15--20L/min,设备转速25转/min,根据光栅尺的读数研磨到厚度0.50-0.52mm取出晶片,用超声波清洗干净;
F:抛光工艺:先把抛光布用修正盘修整好,然后把用超声波清洗过的晶片放在抛光盘上进行抛光,抛光压力:200--300g/cm2 转速:35--40rpm,时间:40--45min,然后转入CMP抛光;
G:清洗工艺:把抛好的晶片放在自动取片机上加热到100-110度后分别取下晶片,然后放入去蜡水中把石蜡去除,然后放入刷洗机中清洗干净,最后转入风刀中烘干,然后装盒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德清晶辉光电科技有限公司,未经德清晶辉光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410135121.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型光子晶体光纤
- 下一篇:具有微结构的光学板