[发明专利]一种花叶玉簪快速增殖的方法有效
申请号: | 201410130831.0 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN103875535A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 孙国峰;张金政;李晓东;吴东启;林秦文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院植物研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100093 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种花叶玉簪快速增殖的方法,主要通过外植体的选择及消毒、继代增殖培养、生根培养以及炼苗移栽的步骤,特别是在继代过程中,提高了光照强度,延长了光周期,降低了培养温度,同时采用了转换继代培养基的技术手段,达到了增殖速度快、遗传性状稳定、增殖系数高的优良效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 花叶 玉簪 快速 增殖 方法 | ||
【主权项】:
一种花叶玉簪快速增殖的方法,其特征在于,包括:(1)外植体的选择及消毒:于3‑4月挖取玉簪根茎,洗净后种植在以珍珠岩为基质上的花盆中,栽植过程中只浇灌自来水,30天后取萌发芽做为外植体;浸于盛有饱和肥皂水的烧杯中5‑10分钟,再用自来水冲洗到基本无泡沫,然后再重复上述浸泡冲洗步骤一次;在超净台中先用70%的酒精浸泡1分钟,无菌水冲洗2次,用含有两滴吐温80的5%次氯酸钠溶液消毒10‑15分钟,无菌水冲洗5次;再用含有两滴吐温80的0.1%的升汞消毒10‑15分钟,用无菌水冲洗6次;(2)接种培养:将步骤(1)所述的外植体,剥去外层叶片,切取带有潜伏芽的根茎块接种到接种培养基中,每瓶一块;培养温度为24±1℃,12h/d的光周期,光照强度2000Lx左右,培养3‑7天开始生长,所述接种培养基为1/2MS+6‑BA1.0mg/L+NAA0.1mg/L+蔗糖30g/L,PH6.2;(3)增殖培养:将不污染的外植体转入第一代增殖培养基中使芽增殖,所述第一代增殖培养基为MS+6‑BA2‑5mg/L+NAA0.2‑0.5mg/L+蔗糖30g/L,PH6.2;培养温度为20±1℃,光照强度4000‑6000Lx,光周期14‑18h/d;培养120‑150天后,将外植体转入第二代增殖培养基中,所述第二代增殖培养基为MS+6‑BA0.5‑1.5mg/L+NAA0.1‑0.2mg/L+蔗糖30g/L,PH6.2;培养温度24±1℃,光照强度2000Lx,光周期10‑12h/d;培养30天左右;(4)生根培养:将增殖培养得到的小芽转入生根培养基中,将较大的芽竖向劈开一分为二再转入生根培养基中,所述生根培养基为1/2MS+NAA0.3mg\L+蔗糖20g/L,PH6.2,培养温度为24±1℃,12h/d的光周期,光照强度2000Lx左右,20天左右生根,当根长达到3cm左右出瓶;(5)炼苗移栽:先将培养瓶移至温室,自然条件下炼苗4d,然后解开封口膜,炼苗6d,炼苗完成后取出小苗洗净根部附着的培养基,移栽到经消毒的基质中,温度控制在24‑26℃,前7d湿度控制在70%左右,以后逐渐降低湿度,直至将移栽苗置于自然条件下,炼苗移栽期间适当遮光,使光照强度为自然光的50%。
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