[发明专利]一种钛合金表面Ag掺杂TiO2薄膜的制备方法有效
申请号: | 201410129298.6 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN103911593A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 张翔宇;柏中朝;贺晓静;杭瑞强;黄晓波;马永;范爱兰;唐宾 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C8/12 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 江淑兰 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开一种钛合金表面Ag掺杂TiO2薄膜的制备方法,属于金属材料表面改性技术领域。首先利用磁控溅射技术在钛合金表面制备TiAg薄膜,然后在马弗炉中进行热氧化处理,通过氧化和扩散,在钛合金表面形成与基体结合良好的Ag掺杂金红石型TiO2薄膜。与现有技术相比,制备的薄膜不仅与基体有良好的结合力,而且耐蚀性和耐磨性得到显著改善;解决了钛合金作为植入体在人体内容易引起细菌感染的问题;还可阻止钛合金基体中有害元素的释放,具有良好的生物相容性;该方法操作简单,重复性好,适合于批量化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 钛合金 表面 ag 掺杂 tio sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钛合金表面Ag掺杂TiO2薄膜的制备方法,其特征在于:首先利用磁控溅射技术在钛合金表面制备TiAg薄膜,然后在马弗炉中进行热氧化处理,通过氧化和扩散,在钛合金表面形成与基体结合良好的Ag掺杂金红石型TiO2薄膜。
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