[发明专利]基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201410121150.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103904186A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨连乔;冯伟;王浪;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和石墨烯电极层结合形成，采用加强电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯电极层固定结合在第二半导体层上，使加强电极的材料和石墨烯电极层的石墨烯材料相互结合形成复合电极。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，采用石墨烯薄膜与协同导电材料构成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明使石墨烯电极形成钉扎固定连接的复合结构，提高了石墨烯和衬底间的粘附性，并可通过对石墨烯电极层的图案化的控制，改善器件中的电流分布。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 电极 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层（6）、第一半导体层（5）、有源层（4）、第二半导体层（3）和石墨烯电极层（2）结合形成，其特征在于：采用加强电极（1）通过钉扎固定结合方式将所述石墨烯电极层（2）固定结合在所述第二半导体层（3）上，即利用加强电极（1）穿透所述石墨烯电极层（2），并使所述加强电极（1）的一个端部与所述第二半导体层（3）直接接触固定连接，使所述加强电极（1）的另一个端部将所述石墨烯电极层（2）压紧固定在所述第二半导体层（3）上，并且使所述加强电极（1）表面和所述石墨烯电极层（2）孔道表面之间通过范德华力进行固定结合，当所述第一半导体层（5）为P型半导体层时，所述第二半导体层（3）为N型半导体层；或者当所述第一半导体层（5）为N型半导体层时，所述第二半导体层（3）为P型半导体层，所述加强电极（1）采用金属、导电金属氧化物或者导电复合材料制成，使所述加强电极（1）的材料和所述石墨烯电极层（2）的石墨烯材料相互结合形成复合电极。
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