[发明专利]一种多晶硅冷氢化的运行方法

摘要

一种多晶硅冷氢化的运行方法，涉及多晶硅生产技术领域，通过硅粉反应步骤、换热、汽化步骤、电加热步骤、气固分离步骤、淋洗、除杂质步骤、冷媒冷冻步骤和气液分离步骤，达到去除杂质、氢气提纯的目的；本发明由于冷热能量的充分交换，使物料自身能量得到了充分利用，较大幅度减少了外供能量消耗，且通过提前对系统物料过滤和淋洗，减轻了提纯塔管路堵塞问题。

主权项

一种多晶硅冷氢化的运行方法，其特征是：包括硅粉反应步骤、换热、汽化步骤、电加热步骤、气固分离步骤、淋洗、除杂质步骤、冷媒冷冻步骤和气液分离步骤，具体操作步骤如下：（1）硅粉反应步骤：将硅粉通过硅粉输送管道（1）送入冷氢化反应器（9），产生反应气体；（2）换热、汽化步骤：将氢气和四氯化硅按比例分别经过氢气换热器（3）和四氯化硅换热器（2）后，与蒸汽冷凝水管道（13）输送来的热水进行换热，换热后的热水从废水管道（6）排出，氢气和四氯化硅混合物进入混合汽化室（7）进行汽化；（3）电加热步骤：接上一步骤，将上一步骤得到汽化后的氢气和四氯化硅的混合气体经过一级换热器（27）和二级换热器（26）后与冷氢化反应器（9）内产生的反应气体换热，然后由电加热器（8）加热后进入冷氢化反应器（9）与硅粉反应；（4）气固分离步骤：接上一步骤，将上一步骤获取的反应后的产品通过旋风分离器（25）将反应产品中的硅粉、催化剂固体和气体分离，硅粉和催化剂固体回到冷氢化反应器（9），气体通过过滤器（24）进行过滤除尘后，通过二级换热器（26）和一级换热器（27）与从混合汽化室（7）内出来的气体换热；（5）淋洗、除杂质步骤：接上一步骤，将上一步骤中从一级换热器（27）出来的气体进入淋洗塔（10）淋洗，淋洗下的杂质从淋洗塔（10）下部的残液管线（16）排出；从淋洗塔（10）顶部出来的气体由一级冷却气液分离器（11）降温后，进入一级冷却器气液分离器（12）气液分离，冷凝下的液体直接进入提纯塔（19），不凝气体进入二级冷却器（13）冷却后，进入二级冷却器气液分离器（14）气液分离，冷凝下的液体再进入淋洗塔（10），喷淋从一级换热器（27）出来后进入淋洗塔（10）的气体；（6）冷媒冷冻步骤：接上一步骤，从二级冷却器气液分离器（14）出来的气体进到气气换热器（23）中，进行预冷，再进到气气换热器气液分离器（21）气液分离，分离出的气体进入深冷冷却器（20）冷冻；（7）气液分离步骤：接上一步骤，将上一步骤冷冻后气体进入深冷冷却器气液分离器（15）达到气液完全分离，分离出的氢气进入气气换热器（23）管程升温，从分离后氢气管道（22）进入系统循环使用。