[发明专利]一种含有气流控制装置的去耦反应离子刻蚀设备

摘要

本发明公开了一种含有气流控制装置的去耦反应离子刻蚀设备，通过在设备双反应腔室底部公用的排气口内密封设置带有均匀密布气孔的整流罩，对伺服压力阀门上方的气体先进行整流，极大改善了整流罩上方气体的均匀性和稳定性。气体经整流后，左、右腔室的压力得以保持一致，改善了产品的均一性，同时，聚合物也不会产生在腔室间聚集不同步的现象，使腔室间环境保持一致，提高了工艺的稳定性，并延长设备清扫的周期，因而提高了设备的生产效率，降低了设备维护费用。

主权项

一种含有气流控制装置的去耦反应离子刻蚀设备，所述刻蚀设备的腔体具有左、右独立的双反应腔室，所述腔体底部正中设有公用的排气口，所述排气口下方设有伺服压力阀，所述伺服压力阀连通其下方排气系统的排气管路，其特征在于，所述气流控制装置在所述伺服压力阀上方的所述双反应腔室底部正中公用的所述排气口内设置整流罩，所述整流罩与所述排气口内壁相固连；所述整流罩为倒置的圆台形或喇叭口形中空结构，其下端为开口，封闭的水平上表面具有许多密布的气孔；所述伺服压力阀为钟摆阀，用于调节腔室内的压力，所述钟摆阀的阀门沿水平的左、右方向开闭；所述整流罩控制所述腔体底部的气流均匀通过所述气孔，并按垂直方向经过所述钟摆阀进入所述排气管路；其中，当所述整流罩为倒置的圆台形时，所述圆台形的底部朝向上方，当所述整流罩为喇叭口形时，所述喇叭口端朝向上方。