[发明专利]一种背接触太阳电池的金属化方法

摘要

本发明公开了一种背接触太阳电池的金属化方法，包括如下步骤(1) 制作贯穿孔电极，形成至少1列N型金属接触列；N型金属接触直径为0.5~1毫米；(2) 在半导体基板的背面的P型掺杂区或P+掺杂区设置金属层；(3) 在背面的金属层上相对于N型金属接触列的位置设置条状的绝缘介质层，(4) 在各个绝缘介质层上均设置第二金属层，第二金属层与其下方的N型金属接触电连接；形成焊接电极。本发明开发了一种背接触太阳电池金属化的制备方法，引入了绝缘介质层和第二金属层，实现了效率最大化，在减少金属和半导体接触漏电的同时降低了Ag金属浆料的消耗，采用本发明的方法前后获得的电池效率提升0.4%，取得了意想不到的效果。

主权项

一种背接触太阳电池的金属化方法，所述背接触太阳电池为MWT太阳电池或EWT太阳电池，其特征在于，包括如下步骤：(1) 制作贯穿孔电极，在半导体基板的背面形成N型金属接触，形成至少1 列N 型金属接触列；所述N型金属接触为圆形点接触，其直径为0.5~1毫米；(2) 在半导体基板的背面的P型掺杂区或P+掺杂区设置金属层；(3) 在上述背面的金属层上相对于N型金属接触列的位置设置条状的绝缘介质层，使绝缘介质层覆盖P型金属层和P、N金属层的间隙，绝缘介质层上相对于所述N型金属接触的位置设有开孔；绝缘介质层的数量与N 型金属接触列的列数相同；所述绝缘介质层的厚度为5~30 微米，其绝缘电阻为兆欧姆级别；(4) 在步骤(3)中的各个绝缘介质层上均设置第二金属层，第二金属层与其下方的N型金属接触电连接；形成焊接电极；所述第二金属层的焊接拉力大于4N/mm。