[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201410113582.4 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103915509B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬;李禹奉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成于所述有源层的上方，且分别位于所述有源层的相对的第一端部和第二端部；所述漏电极完全覆盖住所述有源层的第二端部。本发明能够保证背沟道刻蚀类型的氧化物薄膜晶体管的有源层得到有效的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成于所述有源层的上方，且分别位于所述有源层的相对的第一端部和第二端部；其特征在于，所述漏电极完全覆盖住所述有源层的第二端部；所述漏电极包括：覆盖电极、连接电极和接触电极，所述连接电极位于所述覆盖电极和所述接触电极之间，分别与所述覆盖电极和所述接触电极相连；所述覆盖电极，完全覆盖住所述有源层的第二端部；所述连接电极，至少部分与所述栅电极重叠，所述连接电极的纵向宽度小于所述覆盖电极的纵向宽度，所述纵向是与所述有源层的第一端部和第二端部的连线所在方向垂直的方向；所述接触电极，用于与像素电极接触；所述连接电极和所述接触电极为矩形，所述连接电极的纵向宽度小于所述接触电极的纵向宽度；所述覆盖电极呈凹字型，所述覆盖电极的凹槽的开口朝向所述源电极。
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