[发明专利]CeO2系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种CeO₂系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法，该体系材料的配方为：CeO₂+aNa₂CO₃+bK₂CO₃+cD+dM+eBi₂O₃，其中，a,b=0.01~0.30；D为添加元素，是Nb、Sb、La等中的至少一种元素，其含量c=0.0003~0.01；M为Al₂O₃、SiO₂中的至少一种，含量d=0~0.03；Bi₂O₃含量e=0.10~0.80。该材料以传统的陶瓷工艺制备，在流动氮气中950~1200℃烧结10~120分钟制得。该新型陶瓷材料的PTC效应明显，升阻比达到10⁴，电阻非线性系数在20%/℃以上，性能接近传统的BaTiO₃系PTCR热敏电阻陶瓷材料。

主权项

一种CeO₂系PTCR热敏陶瓷材料，其特征在于该材料的主要成分是含有Na、K、Ce、Bi金属元素，具体的材料配方为：CeO₂+aNa₂CO₃+bK₂CO₃+cD+dM+eBi₂O₃，其中，a, b=0.01~0.30；D为微量添加元素，是Nb、Sb、La中的至少一种元素，其含量c= 0.0003~0.01；M为添加剂，是Al₂O₃或SiO₂，其含量d=0~0.03；Bi₂O₃为烧结助剂，含量e=0.10~0.80。