[发明专利]CeO2系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410110313.2 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103922741A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 朱兴文;刘怡茵;张甜甜;王生伟;朱欣然;沈思月;姜文中;周晓 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: ceo sub ptcr 热敏 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种CeO2系PTCR热敏陶瓷材料,其特征在于该材料的主要成分是含有Na、K、Ce、Bi金属元素,具体的材料配方为:CeO2+aNa2CO3+bK2CO3+cD+dM+eBi2O3,其中,a, b=0.01~0.30;D为微量添加元素,是Nb、Sb、La中的至少一种元素,其含量c= 0.0003~0.01;M为添加剂,是Al2O3或SiO2,其含量d=0~0.03;Bi2O3为烧结助剂,含量e=0.10~0.80。

2.按权利要求1所述的CeO2系PTCR热敏陶瓷材料的制备方法,其特征在于该方法具有以下的制备工艺步骤:

a. 按材料配方配料:CeO2+aNa2CO3+bK2CO3+cD+dM+eBi2O3,其中,a, b=0.01~0.30;D为微量添加元素,是Nb、Sb、La中的至少一种元素,其含量c= 0.0003~0.01;M为添加剂,是Al2O3或SiO2,其含量d=0~0.03;Bi2O3为烧结助剂,含量e=0.10~0.80;初始原材料选自分析纯或试剂级的Bi2O3、K2CO3、Na2CO3、CeO2、Sb2O3、Nb2O5、SiO2、Al2O3或含有这些金属元素的其它无机盐微米级粉体;根据上述材料配方称重,以二氧化锆球和酒精为介质,将上述原料在行星磨上以100~500转/分的转速球磨0.5~24小时,烘干后即得到混合均匀的上述氧化物或其它无机盐粉末;

b.    将烘干后的粉末加2~15wt%的PVA,浓度5~15wt%,造粒,以5~20MPa的压力压制Φ10×2.0mm的圆片;

c. 所压制的圆片在800~950℃下大气气氛中热处理0.5~5小时(合成反应),再在流动氮气氛中950~1200℃下保温10~120分钟烧结;烧结样品的表面经研磨后以欧姆接触的银浆电极涂覆,并将电极在450~550℃烧结保温5~120min,将电极固化,这样就获得CeO2系PTCR陶瓷材料样品。

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