[发明专利]沟槽型MOS晶体管的制造方法

摘要

在本发明提供的沟槽型MOS晶体管的制造方法中，在形成有源区通孔和外围区保护环之后进行两次硼磷硅玻璃填充，在第一次形成硼磷硅玻璃之后通过湿法刻蚀工艺将有源区通孔内的硼磷硅玻璃完全去除，同时保留外围区保护环内的部分硼磷硅玻璃，使得源区离子注入的通孔变大的同时避免源区离子注入对外围区造成影响，由此提高了器件的掺杂效果和接触孔填充的性能，同时，简化了制造工艺。

主权项

一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括有源区和外围区；在所述衬底上沉积层间介质层，并刻蚀所述层间介质层以在所述有源区和外围区分别形成有源区通孔和外围区保护环；通过所述有源区通孔对所述衬底进行阱区离子注入形成阱区；利用填充物填充所述有源区通孔和外围区保护环；通过湿法刻蚀去除所述有源区通孔内的填充物和部分外围区保护环内的填充物；对所述阱区进行源区离子注入形成源区；再次利用填充物填充所述有源区通孔和外围区保护环，并刻蚀所述有源区通孔中的填充物形成侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述衬底形成与所述有源区接触的接触孔。