[发明专利]编程电压调整方法有效
| 申请号： | 201410098305.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103886909B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种编程电压调整方法，包括设置一写入干扰电压值Vrtst，所述写入干扰电压值大于已定编程电压；检测所述写入干扰电压值是否适应于晶圆上的各个晶粒，并据此分别设置编程电压范围；将晶圆上的各个晶粒的编程电压分别对应调整到所述编程电压范围中。这形成了一种动态的适应模式，从而在工艺上提高了编程电压的范围，并且，这对于某些具有较大工艺波动的产品而言，更具有适应性，能够使得检测良率提高，以提升产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 电压 调整 方法 | ||
【主权项】：
一种编程电压调整方法，其特征在于，包括：设置一写入干扰电压值Vrtst，所述写入干扰电压值大于已定编程电压；检测所述写入干扰电压值是否适应于晶圆上的各个晶粒，并据此分别设置编程电压范围，若所述写入干扰电压值适应于晶圆上的一个晶粒，则对应该晶粒的所述编程电压范围为Vrtst‑a～Vrtst+a，a为正数；若所述写入干扰电压值不适应于晶圆上的一个晶粒，则对应该晶粒的所述编程电压范围为Vrtst‑b～Vrtst‑c，b>c>0；将晶圆上的各个晶粒的编程电压分别对应调整到所述编程电压范围中。
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