[发明专利]磁存储器、提供该磁存储器和编程该磁存储器的方法

摘要

公开了一种包括存储阵列片(MAT)、中间电路、全局位线和全局电路的磁存储器，提供该磁存储器和编程该磁存储器的方法。每个MAT包括位线、字线和具有(多个)磁性结、(多个)选择设备、以及邻近于所述(多个)磁性结的自旋与轨道相互作用(SO)活性层的至少一部分的磁存储器。由于穿过SO活性层的预处理电流导致SO活性层在(多个)磁性结上施加SO转矩。(多个)磁性结可使用驱动通过通过(多个)磁性结的(多个)写电流和预处理电流编程。所述位线和字线相应于磁存储器单元。中间电路控制MAT之内的读取和写操作。每个全局位线相应于MAT的一部分。全局电路选择并驱动部分全局位线以用于读取操作和写操作。

主权项

1.一种磁存储器，包括：多个存储阵列片，所述多个存储阵列片中的每一个包括多个位线、多个字线和多个磁储存单元，所述多个磁储存单元中的每一个包括至少一个磁性结、至少一个选择器件和邻近于所述至少一个磁性结的自旋‑轨道相互作用活性层的至少一部分，所述自旋‑轨道相互作用活性层的至少一部分被配置成：由于至少一个自旋‑轨道相互作用电流穿过所述自旋‑轨道相互作用活性层的至少一部分导致在所述至少一个磁性结的至少一部分上施加自旋‑轨道相互作用转矩，所述至少一个磁性结能够使用被驱动通过所述至少一个磁性结的至少一个写电流和提供给所述自旋‑轨道相互作用活性层的至少一部分的所述至少一个自旋‑轨道相互作用电流来编程，所述多个位线和所述多个字线相应于所述多个磁储存单元；中间电路，用于控制所述多个存储阵列片之内的读操作和写操作；多个全局位线，所述全局位线中的每一个相应于所述多个存储阵列片的一部分；全局电路，用于选择和驱动所述多个全局位线的一部分以用于读操作和写操作。