[发明专利]电子部件用金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材有效
| 申请号： | 201410090923.0 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104046947A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 村田英夫 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C22C27/04;C22C30/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供耐湿性、耐氧化性得到改善、在与低电阻的主导电膜Al或Cu层叠时即使经过加热工序也能够维持低电阻值的电子部件用金属薄膜以及用于形成其的Mo合金溅射靶材。一种电子部件用金属薄膜，其中，原子比的组成式表示为Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由无法避免的杂质组成；以及一种金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材，其中，原子比的组成式表示为Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由无法避免的杂质组成。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 金属 薄膜 以及 形成 mo 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种电子部件用金属薄膜，其特征在于，原子比的组成式表示为Mo100‑x‑y‑Nix‑Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由无法避免的杂质组成。
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