[发明专利]电子器件在审
| 申请号： | 201410088504.3 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103985796A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | C·巴伊拉姆;J·O·初;C·蒂米特拉克普洛斯;金志焕;朴弘植;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件。一种电子器件包括扩展层和形成在所述扩展层上并与之接触的第一接触层。所述第一接触层由导热晶体材料形成，所述导热晶体材料具有高于或等于有源层材料的热导率的热导率。有源层包括一个或多个III族氮化物层。第二接触层形成在所述有源层上，其中所述有源层被垂直设置在第一和第二接触层之间以形成垂直薄膜叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：扩展层；第一接触层，形成在所述扩展层之上并与之接触并且由导热晶体材料形成，所述导热晶体材料的热导率大于或等于有源层材料的热导率；有源层，包括一个或多个III族氮化物层；以及第二接触层，形成在所述有源层之上，其中所述有源层垂直设置在所述第一和第二接触层之间以形成垂直薄膜叠层。
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