[发明专利]半导体器件的测试方法有效
| 申请号： | 201410081201.9 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103822948A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张海福;王立斌;舒畅;卓明川 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/24 | 分类号： | G01N27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的测试方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属图案，所述金属图案包括第一电极和第二电极；位于所述半导体衬底上所述第一电极和所述第二电极之间的介电层；提供所述第一电极和所述第二电极之间的电容标准值，并检测所述第一电极和所述第二电极之间的电容真实值；当所述电容真实值与所述电容标准值的差值的绝对值与所述电容标准值之间的比值大于阈值时，判断所述介电层中存在空气间隙。本发明可以以低成本、高效率、无破坏性地对所有的半导体器件进行介电层中空气间隙的准确检测。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属图案，所述金属图案包括第一电极和第二电极；位于所述半导体衬底上所述第一电极和所述第二电极之间的介电层；提供所述第一电极和所述第二电极之间的电容标准值，并检测所述第一电极和所述第二电极之间的电容真实值；当所述电容真实值与所述电容标准值的差值的绝对值与所述电容标准值之间的比值大于阈值时，判断所述介电层中存在空气间隙。
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