[发明专利]一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法

摘要

本发明公开一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，所述无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池自下而上依次为基体层、Mo层、铜铟镓硒层、i-ZnO层和n-ZnO层，其中i-ZnO层为缓冲层。所述缓冲层i-ZnO层采用射频磁控溅射方法制备，过程控制溅射室本底真空度5.0×10^-4Pa，射频溅射功率200W，溅射氩气流量32sccm，基底温度25-350℃，溅射气压0.2-1.5Pa，得到的缓冲层i-ZnO层具有很好的ZnO（002）面c轴择优取向，晶粒尺寸均匀，与基底结合致密，可见光平均透过率可达86.9%；禁带宽度为3.225-3.25eV。具有制备过程简单，生产成本低，适于工业化生产。

主权项

一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，所述的无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池包括基体、背电极Mo层、吸收层即铜铟镓硒层、缓冲层即i‑ZnO层和窗口层即n‑ZnO层，所述的无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池自下而上依次为基体、背电极Mo层、吸收层、缓冲层和窗口层；所述基体为普通的钠钙玻璃；其特征在于所述的无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方  法具体包括如下步骤：（1）、在基体上，采用磁控溅射仪直流磁控溅射制备背电极Mo层；（2）、然后依次采用磁控溅射仪射频磁控溅射预溅射铜铟预制层和铜镓预制层，然后在真空硒化炉硒化得到吸收层即铜铟镓硒层；（3）、磁控溅射仪射频磁控溅射缓冲层即i‑ZnO层；即在铜铟镓硒层上采用磁控溅射仪控制射频溅射功率为200W，溅射氩气流量为32sccm，溅射气压为0.2‑1.5Pa进行射频溅射5min，得到缓冲层即i‑ZnO层；射频溅射过程中溅射室的本底真空度为5.0×10^‑4Pa；基底温度为25‑350℃；采用纯度为99.99%的ZnO陶瓷靶，直径为75mm，厚度为3mm，靶基距55mm。