[发明专利]一种VDMOS器件结温的测试方法

摘要

本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法，包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量，得到温度-通态电阻的关系曲线；然后，使器件处于工作状态，测量其输出特性曲线，并由输出特性曲线计算通态电阻；最后，根据之前的温度-通态电阻关系曲线，得到该通态电阻对应的结温。本发明采用无开关装置结温测量法，消除了因开关切换延迟引起的结温测量误差。利用图示仪给被测器件加窄脉冲大电流，可避免器件自升温对结温的影响，并且对器件没有损伤，在保证器件安全的同时，提高了结温测量精度。

主权项

一种VDMOS器件结温的测试方法，包括被测VDMOS器件（1）、温箱（2）、图示仪（3）、器件夹具（4）；所述温箱（2）用于对所述器件（1）加温，所述图示仪（3）内装电源，用于给所述器件（1）加电流、电压、测量器件通态电阻；其特征在于，所述测试方法包括以下步骤：步骤一，将所述器件（1）通过导线与所述图示仪（3）的所述器件夹具（4）相连，并将所述器件（1）放入所述温箱（2）内，利用所述温箱（2）给所述器件（1）加热；步骤二，设置所述温箱（2）的初始温度，使所述器件（1）的温度稳定在所述温箱（2）设定的温度，并保持一段时间，然后给所述器件（1）加一栅极电压，并在漏源极间加一脉冲电流，利用所述图示仪（3）测试所述器件（1）在此温度下的通态电阻；按一定的步长逐步改变所述温箱（2）的温度，测出不同温度下所述器件（1）的通态电阻；步骤三，将测量数据绘制成温度‑通态电阻曲线；步骤四，确定所述器件（1）处于工作状态时的通态电阻；步骤五，根据所述器件（1）的温度‑通态电阻曲线及工作状态时的通态电阻，确定所述器件（1）处于该工作状态时对应的结温。