[发明专利]一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法

摘要

本发明公开了一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法，用于硅基薄膜电池或铜铟镓硒CIGS电池的制备过程，均包括有在衬底上镀第一加工层、刻划第一沟槽、镀第二加工层、刻划第二沟槽、镀第三加工层和刻划第三沟槽步骤，其特征在于：刻划时使A区的各节平均宽度a大于总平均宽度d，B区的各节平均宽度b小于总平均宽度d，C区的各节平均宽度c等于总平均宽度d。本发明将目前通行的均一刻划方式改为补偿修正刻划的方式，将边缘子电池宽度有选择性地适当加宽，而将电池区域特性好的子电池宽度略微变窄，在不影响电池板整体膜层有效开口宽度的情况下使得电池组件的稳定效率提高1%以上，同时具有适用面广、不增加制造成本和简便易行等优点。

主权项

一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法，包括有在衬底上镀第一加工层、刻划第一沟槽、镀第二加工层、刻划第二沟槽、镀第三加工层和刻划第三沟槽步骤，其特征在于：所述的第一沟槽、第二沟槽或第三沟槽的在相应的加工层上分别刻划总数为2m+2n+k条的沟槽，其中m、n和k均为自然数，且自左向右起，加工层左侧边缘到第1条沟槽之间构成正极区，第1条到第2条沟槽之间构成第1节，第m‑1条至第m条之间构成第m节，以此类推，则第2m+2n+k条至加工层右侧边缘构成第2m+2n+k节；加工层表面分为正极区、A区、B区和C区，其中A区由位于加工层左侧的m节和位于加工层右侧的m节组成，B区由最中间的k节组成，C区位于A区和B区之间，C区由其余的2n节组成；衬底总宽为L，衬底左右两侧经激光扫边而成的边缘区以及加工层上正极区的宽度合计为U，加工层上的A区各节平均宽度为a，B区各节平均宽度为b，C区各节平均宽度为c，所有各节的总平均宽度为d，则其余部分宽度V=L‑U =2m×a+k×b+2n×c=（2m+2n+k）×d； 刻划时使A区的各节平均宽度a大于总平均宽度d，且a≤d×1.025， B区的各节平均宽度b小于总平均宽度d，且b≥d×0.975，C区的各节平均宽度c等于总平均宽度d；在用于硅基薄膜电池制备时，当刻划的沟槽为第一沟槽时，对应的加工层为透光导电氧化物层，当刻划的沟槽为第二沟槽时，对应的加工层为半导体光电转化层，当刻划的沟槽为第三沟槽时，对应的加工层为半导体光电转化层和背电极层；在用于铜铟镓硒CIGS电池时，当刻划的沟槽为第一沟槽时，对应的加工层为背电极层，当刻划的沟槽为第二沟槽时，对应的加工层为半导体光电转化层，当刻划的沟槽为第三沟槽时，对应的加工层为透光导电氧化物层和半导体光电转化层。