[发明专利]具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法无效
| 申请号： | 201410070433.4 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103831024A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 何春菊;赵新振;秦爱文;马博谋;刘大朋;李翔 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | B01D71/34 | 分类号： | B01D71/34;B01D69/02 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：第一步：将聚偏氟乙烯膜清洗晾干后，置于低温等离子体仪中进行预处理，将预处理后的聚偏氟乙烯膜放在空气中氧化；第二步：将氧化后的聚偏氟乙烯膜浸于丙烯酸水溶液中进行表面接枝聚合反应，得到聚丙烯酸表面改性的PVDF膜；第三步：将聚丙烯酸表面改性的PVDF膜清洗后，置于聚阴离子电解质溶液、聚阳离子电解质溶液或两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附，清洗，得到具有荷电表面且其最外层表面为电负性、电正性或电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。本发明制备得到具有荷电多样性表面的聚偏氟乙烯分离膜表现出了较好的抗污染性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多样性 表面 聚偏氟 乙烯 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：第一步：将聚偏氟乙烯膜清洗晾干后，置于低温等离子体仪中进行预处理，将预处理后的聚偏氟乙烯膜放在空气中氧化；第二步：将氧化后的聚偏氟乙烯膜浸于丙烯酸水溶液中进行表面接枝聚合反应，得到聚丙烯酸表面改性的PVDF膜；第三步：将聚丙烯酸表面改性的PVDF膜清洗后，置于聚阴离子电解质溶液、聚阳离子电解质溶液或两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附，清洗，得到具有荷电表面且其最外层表面为电负性、电正性或电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。
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