[发明专利]一种新品n型半绝缘GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法

摘要

本发明提出了一种新品n型半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料及其制备方法。该方法所述电极底层采用未掺杂的n型半绝缘GaAs基片，基片上的两个电极区上，采用脉冲激光沉积法镀有钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a-C），非晶碳膜层上再采用真空热蒸发方法镀银（Ag）而制成。本发明的新品n型半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料，经多项数据检测，电极的I-V曲线具有很好的线性和对称关系，其性能指标均符合稳定接触电极的要求，且光灵敏度较大，可成功应用于与n型半绝缘GaAs相关的器件中；且与现有技术的制作工艺相比，流程简短、成本低，具有良好的经济效益。

主权项

一种新品n型半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料，其特征在于：它的底层为n型半绝缘GaAs基片，基片上设置的两个电极区上，镀有钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a‑C），非晶碳膜层上设置有镀银（Ag）层，由各自的非晶碳膜层及镀银层构成相对应的两个电极。