[发明专利]半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201410069182.8 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104037211B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 柳田将志;兼松成 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括器件区域，其具有包括沟道部的半导体层；器件周边区域，其邻接所述器件区域；栅极电极，其设置在所述器件区域内，且具有跨越所述器件区域和所述器件周边区域的边界部；导电层，其设置在所述栅极电极与所述半导体层之间；和绝缘层，其设置在所述半导体层与位于所述边界部处的所述栅极电极之间。根据本发明，能够减小将会在绝缘层内生成的寄生成分的影响从而提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：器件区域，其具有包括沟道部的半导体层；器件周边区域，其邻接所述器件区域；栅极电极，其设置在所述器件区域内，且具有跨越所述器件区域和所述器件周边区域的边界部；导电层，其设置在所述栅极电极与所述半导体层之间；和绝缘层，其设置在所述半导体层与位于所述边界部处的所述栅极电极之间，其中，所述导电层在所述器件区域内设置成位于所述绝缘层与所述半导体层之间，且所述导电层的一部分与所述栅极电极接触。
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