[发明专利]垂直磁记录介质及磁记录再现装置在审
申请号: | 201410068180.7 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN104700849A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 岩崎刚之 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/86 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能得到磁性粒子的良好结晶取向性和低粒径分散、且具有良好的记录再现特性、并能进行高密度记录的垂直磁记录介质及使用其的磁记录再现装置。该装置具备:取向控制层,其由具有fcc结构的镍合金所构成;非磁性缓冲层,其包括具有fcc结构的银;非磁性种子层,其由具有fcc结构的银粒子和设置于银粒子间的非晶质的锗晶界所构成;非磁性中间层,其且由钌或钌合金所构成;以及垂直磁记录层,取向控制层和非磁性缓冲层、非磁性缓冲层和非磁性种子层接触地形成。 | ||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 再现 装置 | ||
【主权项】:
一种垂直磁记录介质,其特征在于,具备:非磁性基板;取向控制层,其形成于该非磁性基板上且由具有fcc结构的镍合金所构成;非磁性缓冲层,其接触地形成于该镍合金取向控制层上且包括具有fcc结构的银;非磁性种子层,其接触地形成于该非磁性缓冲层上且由具有fcc结构的银粒子和设置于银粒子间的非晶质的锗晶界所构成;非磁性中间层,其形成于该非磁性种子层上且由钌或钌合金所构成;以及垂直磁记录层,其形成于该非磁性中间层上。
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