[发明专利]低压气相刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410066945.3 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104860259A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种低压气相刻蚀方法，包括：以液态氢氟酸作为原料输送至汽化装置；液态氢氟酸经汽化后成为氟化氢气体和水汽的混合气体；将混合气体经过脱水处理后分离出氟化氢气体；氟化氢气体通入工艺腔内；氟化氢气体作为刻蚀剂在工艺腔内进行气相刻蚀反应，并使工艺腔内保持低压状态以使反应生成的水以气态形式存在；气相刻蚀反应结束。本发明将液态的氢氟酸作为反应物原料，能够降低工艺成本，且更安全，此外，供应至工艺腔内的气体及刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中，避免发生粘连。 | ||
| 搜索关键词： | 压气 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种低压气相刻蚀方法，包括：以液态氢氟酸作为原料输送至汽化装置；液态氢氟酸经汽化后成为氟化氢气体和水汽的混合气体；将混合气体经过脱水处理后分离出氟化氢气体；氟化氢气体通入工艺腔内；氟化氢气体作为刻蚀剂在工艺腔内进行气相刻蚀反应，并使工艺腔内保持低压状态以使反应生成的水以气态形式存在；气相刻蚀反应结束。
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