[发明专利]离子注入段问题机台的判定方法有效
| 申请号： | 201410060668.5 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839849A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种离子注入段问题机台的判定方法，包括：执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 问题 机台 判定 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
