[发明专利]器件和用于制造器件的方法有效
| 申请号： | 201410058328.9 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104009069B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | M·H·菲勒梅耶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了一种器件和用于制造器件的方法。器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括正面、背面以及从背面延伸至正面的侧表面。侧表面包括第一区域和第二区域，其中第一区域的层面不同于第二区域的层面。器件进一步包括被布置于半导体芯片的背面之上和侧表面的第一区域之上的导电材料，其中侧表面的第二区域未被导电材料覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：半导体芯片，包括正面、背面、以及从所述背面延伸至所述正面的侧表面，其中所述侧表面包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域的层面不同于所述第二区域的层面，其中所述半导体芯片在平行于所述正面或所述背面的方向上在所述第一区域处的尺寸大于在所述第二区域处；以及导电材料，被布置于所述半导体芯片的所述背面之上以及所述侧表面的所述第一区域之上，其中所述侧表面的所述第二区域未被所述导电材料覆盖，其中所述第一区域或所述第二区域包括所述侧表面的波动，其中所述波动包括从100纳米至5微米的幅度。
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