[发明专利]使用蚀刻剂的蚀刻方法无效
| 申请号： | 201410058148.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103820783A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 石田辉和;出口友香里;佐藤未菜 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 杨国强;张淑珍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种蚀刻方法，所述方法使用蚀刻剂对同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物进行处理，由此选择性地对所述铜层进行蚀刻，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，所述蚀刻剂的特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量%的铜(II)离子源；0.1～30.0重量%的碳数为6以下的有机酸；以及含有0.1～30.0重量%的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，所述方法使用蚀刻剂对同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物进行处理，由此选择性地对所述铜层进行蚀刻，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，其特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量%的铜(II)离子源；0.1～30.0重量%的碳数为6以下的有机酸；以及0.1～30.0重量%的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。
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