[发明专利]使用蚀刻剂的蚀刻方法

说明书

本申请是申请日为2011年12月9日、发明名称为“蚀刻剂及使用它的蚀刻方法”的申请号为201110409498.3专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种使用蚀刻剂来蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而选择性地蚀刻所述铜层的的蚀刻方法。

背景技术

先前，包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等的导电性金属氧化物层由于电阻低并显示出高透过率，因此，作为透明导电体而被广泛应用。另外，也正在研究将包括In-Ga-ZnO₄或In₂-Ga₂-ZnO₇等IGZO等的金属氧化物半导体层应用于电子纸等各种器件中。在将这种金属氧化物应用于各种器件中时，通常是以与经图案化而成为电极形状等的金属层共存的形态来使用。

作为加工成同时存在有金属氧化物层和经图案化的金属层的形态的方法，已知有如下方法：准备例如金属层上层积有金属氧化物层的被加工物、或金属氧化物层上层积有金属层的被加工物、或金属氧化物层邻设有金属层的被加工物等的同时存在有金属氧化物层和金属层的被加工物，使用蚀刻剂选择性地蚀刻所述金属层。

例如，在下述专利文献1中，记载有一种制造同时存在有ITO层和经图案化的铝层的液晶元件的方法，其使用包括磷酸、乙酸及硝酸的混合酸作为铝层的蚀刻剂。

[先前技术文献]

(专利文献)

专利文献1：日本专利特开平10-96937号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

近年来，尤其对于显示器领域的电极布线，因大画面化、高精细化的要求，存在使用精细布线的倾向，希望获得一种电阻比铝电极更低的电极。因此，正在研究使用铜电极来代替铝电极。然而，对于先前的铜的蚀刻剂，并未充分研究可以从同时存在有金属氧化物层和铜层的被加工物（被处理物）上选择性地蚀刻铜层的蚀刻剂组成。尤其是用于触控面板的ITO层等透明金属氧化物层，因高精细化不断发展，如果所述透明金属氧化物层被铜层的蚀刻剂浸蚀，将会成为致命的缺陷。因此，希望获得一种不会浸蚀金属氧化物层而可以选择性地仅蚀刻铜层的蚀刻剂。

本发明是鉴于所述情况而完成，其提供一种用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而可以选择性地蚀刻所述铜层的蚀刻剂，及使用所述蚀刻剂的蚀刻方法。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明是一种蚀刻剂，其用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而选择性地蚀刻所述铜层，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，

所述蚀刻剂的特征在于：

所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量%的铜(II)离子源；0.1～30.0重量%的碳数为6以下的有机酸；以及含有0.1～30.0重量%的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，

所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。

并且，本发明的蚀刻方法是使用蚀刻剂对同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物进行处理，从而选择性地对所述铜层进行蚀刻，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，

其特征在于：所述蚀刻剂是所述本发明的蚀刻剂。

另外，在所述本发明的蚀刻剂以及蚀刻方法中，“铜层”既可以由铜构成，也可以由铜合金构成。并且，本说明书中“铜”是指铜或铜合金。

[发明的效果]

如果使用本发明的蚀刻剂以及蚀刻方法，在蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物时，可以选择性地仅蚀刻所述铜层。由此，例如在制造同时存在有金属氧化物层和经图案化的金属层的器件时，可以提高成品率，降低制造成本。

具体实施方式