[发明专利]新型相变存储单元结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410057855.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103794722A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;卫芬芬;孔涛;张杰;黄荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型相变存储单元结构及其制备方法。该新型相变存储单元结构包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，该绝缘材料层内设置有加热电极，所述加热电极分别与第一电极层和相变材料层电性接触，并且相变材料层还与第二电极层电性接触。该加热电极优选采用氮化物加热电极。本发明通过采用氮化物绝缘材料层包覆加热电极，能够有效阻止加热电极被氧化，避免出现加热电极阻值不稳定和相变存储器件失效的问题，提高了器件成品率，并大幅降低了器件功耗，且本发明在应用于相变存储器中时，还具有低功耗、高密度和高稳定性等特点，是一种可实现对信息的写入，擦除和读出功能的非易失性半导体存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 相变 存储 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型相变存储单元结构，其特征在于包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，其特征在于，所述氮化物绝缘材料层包括依次形成在第一电极层上的第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和第三绝缘材料层，所述第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和第三绝缘材料层内分别设有第一加热电极、第二加热电极和第三加热电极，所述第一加热电极一端部与第一电极层电性接触，另一端部与第二加热电极的一端部电性接触，所述第二加热电极的另一端部与第三加热电极一端部电性接触，所述第三加热电极另一端部与所述相变材料层电性接触。
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