[发明专利]薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 201410055699.1 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103904129A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐正洋;沈柏元;陈家芳 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管结构，包含基底、栅极结构、半导体主动层、漏极结构与源极结构。栅极结构与半导体主动层皆设置于基底上方。漏极结构与源极结构皆设置于半导体主动层的第一表面上。上述源极结构与漏极结构之间至少形成一间隙，其中间隙沿半导体主动层的第一表面延伸且位于栅极结构的投影面积中。上述间隙的第一部分包含有第一直线段、第一弯曲段与第二弯曲段，其中第一弯曲段与第二弯曲段分别连接至第一直线段的第一端与第二端，且第一弯曲段与第二弯曲段的弯曲方向互为相反。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：一基底；一栅极结构，设置于该基底上方；一半导体主动层，设置于该基底上方；一漏极结构，设置于该半导体主动层的一第一表面上；以及一源极结构，设置于该半导体主动层的该第一表面上，该源极结构与该漏极结构间至少形成一间隙，该间隙沿该半导体主动层的该第一表面延伸且位于该栅极结构的投影面积中，该间隙的一第一部分包含有一第一直线段、一第一弯曲段与一第二弯曲段；该第一弯曲段与该第二弯曲段分别连接至该第一直线段的一第一端与一第二端，该第一弯曲段与该第二弯曲段的弯曲方向互为相反。
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