[发明专利]DBC陶瓷基板的成型铣切方法有效
| 申请号： | 201410055222.3 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104051278B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 方庆玲;吴小龙;吴梅珠;徐杰栋;刘秋华;胡广群;梁少文 | 申请（专利权）人： | 无锡江南计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 214083 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DBC陶瓷基板的成型铣切方法，包括：对陶瓷基板进行图形制作；其中在单元板外周的覆铜边框上制作铣切定位标靶，并且覆铜边框对应单元板铣切线位置采用避铜处理，其中单元板铣切线被布置成沿单元板边缘线以及边缘的外延线，外延线延长至母板边界；单元板第一面上布置第一面图案，第二面上布置第二面图案，并且，其中第一面图案和第二面图案在陶瓷母板的水平方向和竖直方向上均交错布置；对陶瓷基板进行表面处理；沿单元板铣切线对陶瓷基板进行成型铣切，并且使得单元板残留预定厚度；手动直接扳折以将单元板分离开。 | ||
| 搜索关键词： | dbc 陶瓷 成型 方法 | ||
【主权项】：
一种DBC陶瓷基板的成型铣切方法，其特征在于包括：第一步骤，用于对陶瓷基板进行图形制作；其中在单元板外周的覆铜边框上制作铣切定位标靶，并且覆铜边框对应单元板铣切线位置采用避铜处理，其中单元板铣切线被布置成沿单元板边缘线以及边缘的外延线，外延线延长至母板边界；单元板第一面上布置第一面图案，第二面上布置第二面图案，并且，其中第一面图案和第二面图案在陶瓷母板的水平方向和竖直方向上均交错布置；第二步骤，用于对陶瓷基板进行表面处理；第三步骤，用于沿单元板铣切线对陶瓷基板进行成型铣切，并且使得单元板残留预定厚度；第四步骤，用于手动直接扳折以将单元板分离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
