[发明专利]PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制法和PZT系铁电薄膜形成法有效

专利信息
申请号: 201410054324.3 申请日: 2014-02-18
公开(公告)号: CN104072132B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司11018 代理人: 康泉,王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物包括PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇、并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。组合物100质量%中所占的上述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17~35质量%,组合物100质量%中的上述二醇的比例为16~56质量%,上述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.01~0.25摩尔,上述水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5~3摩尔,组合物100质量%中的直链一元醇的比例为0.6~10质量%。
搜索关键词: pzt 系铁电 薄膜 形成 组合 及其 制法
【主权项】:
一种PZT系铁电薄膜形成用组合物,其特征在于,所述组合物包含PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇,并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇,所述组合物100质量%中所占的所述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17~35质量%,所述组合物100质量%中的所述二醇的比例为16~56质量%,所述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的所述PZT前驱体为0.01~0.25摩尔,所述水的比例相对于1摩尔的所述PZT前驱体为0.5~3摩尔,所述组合物100质量%中的所述直链一元醇的比例为0.6~10质量%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社,未经三菱综合材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410054324.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top