[发明专利]PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制法和PZT系铁电薄膜形成法有效
申请号: | 201410054324.3 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN104072132B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物包括PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇、并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。组合物100质量%中所占的上述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17~35质量%,组合物100质量%中的上述二醇的比例为16~56质量%,上述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.01~0.25摩尔,上述水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5~3摩尔,组合物100质量%中的直链一元醇的比例为0.6~10质量%。 | ||
搜索关键词: | pzt 系铁电 薄膜 形成 组合 及其 制法 | ||
【主权项】:
一种PZT系铁电薄膜形成用组合物,其特征在于,所述组合物包含PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇,并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇,所述组合物100质量%中所占的所述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17~35质量%,所述组合物100质量%中的所述二醇的比例为16~56质量%,所述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的所述PZT前驱体为0.01~0.25摩尔,所述水的比例相对于1摩尔的所述PZT前驱体为0.5~3摩尔,所述组合物100质量%中的所述直链一元醇的比例为0.6~10质量%。
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