[发明专利]适用LED光源泵浦的掺铒光放大器材料的制备方法无效
| 申请号： | 201410054285.7 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103834916A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郑军;成步文;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种适用LED光源泵浦的掺铒光放大器材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取SrmBanSixOy：Er3+/RE；步骤2：将SrmBanSixOy：Er3+/RE压制成靶材；步骤3：采用溅射的方法，溅射靶材；步骤4：靶材上溅射出的粒子，在基片上沉积，形成SrmBanSixOy：Er3+/RE的薄膜，完成制备。本发明是通过设计铒光放大器材料的结构，以实现铒离子对LED光源发出的光具有高吸收效率，提高泵浦光效率，从而可以有效降低光放大器的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 适用 led 光源 掺铒光 放大器 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用LED光源泵浦的掺铒光放大器材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取SrmBanSixOy：Er3+／RE；步骤2：将SrmBanSixOy：Er3+/RE压制成靶材；步骤3：采用溅射的方法，溅射靶材；步骤4：靶材上溅射出的粒子，在基片上沉积，形成SrmBanSixOy：Er3+／RE的薄膜，完成制备。
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