[发明专利]ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410049623.8 申请日: 2014-02-13
公开(公告)号: CN104017395B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 米泽岳洋;山崎和彦;竹之下爱 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C09D1/00 分类号: C09D1/00;C09D7/12;C09D5/24;B05D7/24;H01B1/20
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司11018 代理人: 康泉,王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法,其能够抑制包含ITO导电膜的透明电极在高温高湿下的电阻值的上升。本发明的ITO导电膜形成用涂料中,包含ITO粉末、分散介质及表面处理剂,分散介质为醇系溶液,表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯,或者,表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂。相对于ITO粉末100质量%,硅酸酯含有1~30质量%。并且,相对于ITO粉末100质量%,硅烷偶联剂含有0.1~30质量%。
搜索关键词: ito 导电 形成 涂料 方法
【主权项】:
一种ITO导电膜形成用涂料,其包含ITO粉末、所述ITO粉末的分散介质及所述ITO粉末的表面处理剂,所述ITO导电膜形成用涂料的特征在于,所述ITO粉末包含多晶ITO颗粒,该多晶ITO颗粒包括棒状中心核及多个棒状体,在棒状中心核的周围,短于所述棒状中心核的多个棒状体一体形成为沿着与所述棒状中心核的长度方向相同的方向且围绕所述棒状中心核,所述分散介质为醇系溶液,所述表面处理剂为烷基的碳数为2以下的硅酸酯,或者,所述表面处理剂为具有氨基或巯基作为端基的硅烷偶联剂,相对于所述ITO粉末100质量%,所述硅酸酯含有1~30质量%,或者,相对于所述ITO粉末100质量%,所述硅烷偶联剂含有0.1~30质量%。
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