[发明专利]一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法无效
| 申请号： | 201410044167.8 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794714A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 魏同波;吴奎;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;G01L1/16;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法，包括：在衬底上依次生长n型层、多量子阱有源区、p型层，并在所述p型层的上表面自组装一层纳米小球阵列；利用纳米小球阵列作为掩模版，刻蚀出LED结构，刻蚀深度接触到n型层，形成纳米柱LED阵列；在纳米柱LED阵列之间，填充透明材料；纳米柱LED阵列的表面沉积一层金属导电层；刻蚀露出一部分n型层，在露出的n型层上表面和金属导电层上表面通过金属蒸镀的方法制备n型电极和p型电极；在金属导电层表面未制作p型电极部分压一个透明刚性基板；连通n型电极和p型电极，完成应力传感器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 二极管 压电效应 应力 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次生长n型层、多量子阱有源区、p型层，并在所述p型层的上表面自组装一层纳米小球阵列；步骤2：利用纳米小球阵列作为掩模版，刻蚀出LED结构，刻蚀深度接触到n型层，形成纳米柱LED阵列；步骤3：在纳米柱LED阵列之间，填充透明材料；步骤4：纳米柱LED阵列的表面沉积一层金属导电层；步骤5：刻蚀露出一部分n型层，在露出的n型层上表面和金属导电层上表面通过金属蒸镀的方法制备n型电极和p型电极；步骤6：在金属导电层表面未制作p型电极部分压一个透明刚性基板；步骤7：连通n型电极和p型电极，完成应力传感器的制备。
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