[发明专利]发光器件在审
申请号: | 201410043874.5 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103972362A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 朴范斗;金台镇;金珉奭;成永运;李尚俊;李泰庸;洪起勇;黄善教 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/14 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种发光器件,包括:导电基板;第一电极层,布置在所述导电基板上;发光结构,布置在所述第一电极层上,所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层;以及第二电极层,电连接到所述第二半导体层,其中,所述第一电极层包括:透明电极层,布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间;以及欧姆层,包括多个金属接触部,所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层,其中每个金属接触部包括AuBe。本申请的发光器件能够降低正向电压并且提高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:导电基板;第一电极层,布置在所述导电基板上;发光结构,布置在所述第一电极层上,所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层;以及第二电极层,电连接到所述第二半导体层,其中,所述第一电极层包括:透明电极层,布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间;以及欧姆层,包括多个金属接触部,所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层,其中每个金属接触部包括AuBe。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410043874.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。