[发明专利]中心孔止通规修复工艺有效
申请号: | 201410042792.9 | 申请日: | 2014-01-29 |
公开(公告)号: | CN103741140A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 刘会莹;于志远;刘鸣华;鲁月新;王永宁;朱志华;李昌海 | 申请(专利权)人: | 中信戴卡股份有限公司 |
主分类号: | C23C24/10 | 分类号: | C23C24/10;B22F1/00;C22C32/00;C22C19/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 066318 河北省秦*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种中心孔止通规的修复工艺,主要步骤是:首先对已经磨损失效的中心孔止通规工作表面进行预处理,清除止通规工作表面的油垢、锈蚀和灰尘等;然后选择和配比能达到修复目的的合金粉末;接着根据激光器类型和工装条件确定修复工艺;按照制定的激光熔覆参数进行修复;对修复完成的止通规工作表面进行后处理,使其达到工作要求的精度和性能。通过选择合理的修复粉末和熔覆工艺,可修复磨损失效的中心孔止通规,延长其服役寿命。 | ||
搜索关键词: | 中心 孔止通规 修复 工艺 | ||
【主权项】:
中心孔止通规修复工艺,其工艺方法步骤包括:根据磨损的程度对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理;根据止通规母材的性能和工况要求,选择和配比合适的修复合金粉末;确定送粉方式;根据激光器类型,选定激光功率、扫描速度、搭接率和基体预热温度等主要熔覆参数;对中心孔止通规通端和止端表面进行激光熔覆修复;对修复完成的止通规工作表面进行后处理,使其达到工作要求的精度和性能,其特征在于:激光器为大功率半导体激光器,激光功率范围为2400W‑2500W,扫描速度为350‑400mm/min,搭接率为25%‑30%,预热温度范围为190℃‑200℃;修复合金粉末的质量配比为:碳(C):0.7%‑0.8%、铬(Cr):16%‑17%、硅(Si):4%‑4.5%、硼(B):3.2%‑3.5%、碳化钨(WC):16%‑18%、铁(Fe):0‑5%,其余为镍(Ni)。
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