[发明专利]磁偏、磁饱和、或磁通量的检测器有效
| 申请号: | 201410040950.7 | 申请日: | 2014-01-27 |
| 公开(公告)号: | CN103969600B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
| 发明(设计)人: | 梅谷和弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
| 主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;H01F27/24 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 检测器包括检测绕组(21,22,27,28)、检测绕组测量部(24)、和检测部(23)。磁芯(11,61,71,81,92)具有沿着非均匀截面穿透磁芯的孔(11b,11c,11e,11f,11g,11h,61d,61e,71b,81b,92b)。检测绕组包括导线,该导线插入该孔中并围绕检测区域(11dx,11dy,11ix,11iy)的周边,该检测区域是非均匀截面的一部分并具有与非均匀截面的平均磁通密度不同的磁通密度。检测绕组测量部执行与由检测绕组所感应的电动势相关的测量。检测部基于检测绕组测量部的测量结果来检测磁芯中的磁偏、磁饱和、或磁通量。 | ||
| 搜索关键词: | 磁偏 饱和 磁通量 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种检测器,所述检测器检测磁芯(11,61,71,81,92)中的磁偏、磁饱和、或磁通量,线圈(12,62,75d,82,92c)被缠绕在所述磁芯的周围,其中当所述线圈被施加有电压以形成磁通时,磁通密度的分布的不均匀性出现在所述磁芯的非均匀截面中,且所述磁芯具有沿着所述非均匀截面穿透所述磁芯的孔(11b,11c,11e,11f,11g,11h,61d,61e,71b,81b,92b),所述检测器包括:检测绕组(21,22,27,28),其包括导线,所述导线插入所述磁芯的所述孔中并围绕检测区域(11dx,11dy,11ix,11iy)的周边,所述检测区域是所述非均匀截面的一部分并具有与所述非均匀截面的平均磁通密度不同的磁通密度;检测绕组测量部(24),其执行与由所述检测绕组感应的电动势相关的测量;以及检测部(23),其基于所述检测绕组测量部的测量结果来检测所述磁芯中的磁偏、磁饱和、或磁通量。
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