[发明专利]粗硒制备二氧化硒的氧化炉及制备二氧化硒的方法有效
申请号: | 201410040626.5 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103771357A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 周俊涛;陈凯;王银祥;闫小军;李占国;王少康 | 申请(专利权)人: | 白银有色集团股份有限公司 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 刘继春 |
地址: | 730900 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及用粗硒精炼二氧化硒领域,具体涉及粗硒制备二氧化硒的氧化炉,包括氧化炉体,氧化炉体设有氧气入口与炉门;氧化炉体内设置有氧气盘管与加料盘;氧气盘管位于氧化炉体内上部,氧气盘管进氧口与氧气入口对接,氧气盘管设有数十个出氧孔,加料盘位于氧化炉体内底部。加料盘为敞口矩形容器,氧气盘管的长度与加料盘的长度相适配;加料盘的宽度与炉门的宽度相适配,炉门作为加料盘的放入、取出口。本发明还涉及制备二氧化硒的方法,采用一次加料的新生产工艺方法代替之前的分批连续加料方法,二氧化硒产品的SeO299牌号品级率由50%提高至95%以上,硒回收率由90%提高并稳定在96%以上。 | ||
搜索关键词: | 制备 氧化 方法 | ||
【主权项】:
一种粗硒制备二氧化硒的氧化炉,包括氧化炉体,氧化炉体设有氧气入口与炉门;其特征在于:氧化炉体(3)内设置有氧气盘管(12)与加料盘(13);氧气盘管(12)位于氧化炉体(3)内上部,氧气盘管进氧口(1201)与氧气入口(2)对接,氧气盘管(12)设有数十个出氧孔(1202),加料盘(13)位于氧化炉体(3)内底部。
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