[发明专利]图案形成方法、和磁记录介质的制造方法在审
| 申请号： | 201410033817.9 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104517616A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 渡部彰;泷泽和孝;木村香里 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李照明;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是形成良好的微细图案。因而提供了一种图案形成方法，包含以下工序：使用表面处理高分子材料在基板上形成表面处理高分子膜的工序；将含有该表面处理高分子材料的单体或低聚物的溶液施用在该表面处理高分子膜表面上的工序；在表面处理高分子膜上，涂布含有具有至少2种聚合物链的嵌段共聚物的涂布液，而形成自组装层的工序；通过退火，由此在自组装层内形成微观相分离结构的工序；以及选择性地将微观相分离结构中的1种聚合物层除去，由残存的聚合物层形成凸图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 记录 介质 制造 | ||
【主权项】：
一种图案形成方法，包含以下工序：使用表面处理高分子材料在基板上形成表面处理高分子膜的工序；将含有该表面处理高分子材料的单体或低聚物的溶液施用在该表面处理高分子膜表面上的工序；在被施用了含有该表面处理高分子材料的单体或低聚物的溶液的该表面处理高分子膜上，涂布含有具有至少2种聚合物链的嵌段共聚物、和第1溶剂的嵌段共聚物涂布液，而形成含有该嵌段共聚物的自组装层的工序；通过对所述基板进行退火，由此在所述自组装层内形成微观相分离结构的工序；以及选择性地将所述微观相分离结构中的1种聚合物层除去，由残存的聚合物层形成凸图案的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;，未经株式会社东芝;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410033817.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
