[发明专利]一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法

摘要

本发明提供了一种闪烁噪声的测试方法，包括以下步骤：测试待测器件的输出特性；将器件的漏极连接到低噪声电流放大器的输入端；将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为直流模式；打开低噪声电流放大器的电压源，为漏端提供偏置；时域采样；然后将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为交流模式；调节低噪声电压放大器的放大倍率使低噪声电压放大器的输出达到最大值；频域采样，读取数据；改变漏端电压，重复上述步骤。根据本发明的另一个方面，还提供了一种闪烁噪声的测试设备。

主权项

一种SOI MOSFET器件闪烁噪声的测试方法，该方法包括以下步骤：a)测试待测器件(100)的输出特性，确定器件的直流偏置条件；b)根据步骤a)得到的直流偏置条件设置栅极偏置源(101)，并通过低通滤波器(102)接到所述器件(100)的栅极上；c)将所述器件的漏极连接到低噪声电流放大器(103)的输入端，再将低噪声电流放大器(103)的输出端连接到低噪声电压放大器(104)的输入端，最后将低噪声电压放大器(104)的输出端接到信号分析仪(105)的输入端；d)将低噪声电压放大器(104)和信号分析仪(105)的采样模式设置为直流模式；e)将所述待测器件(100)放在夹具上，打开栅极偏置源(102)的电源，等待一定的时间；f)打开低噪声电流放大器(103)的电压源，为漏端提供偏置；g)设置低噪声电压放大器的放大倍率为1，调节低噪声电流放大器(103)的放大倍率使低噪声电压放大器(104)的输出达到最大值；h)时域采样，并计算出需要补偿的电流；i)打开低噪声电流放大器(103)的补偿电流源，设置需要补偿的电流，根据低噪声电流放大器(103)带宽和放大倍率的关系将其的放大倍率设置为最大；j)将低噪声电压放大器(104)和信号分析仪(105)的采样模式设置为交流模式；k)调节低噪声电压放大器(104)的放大倍率使低噪声电压放大器(104)的输出达到最大值；1)频域采样，读取数据；m)改变漏端电压，重复步骤f)到步骤1)；n)设置漏端电压为0，重复步骤f)到步骤1)；o)改变栅极电压，重复步骤c)至步骤n)。