[发明专利]无光饰面聚酰亚胺膜及其相关方法有效

专利信息
申请号: 201410027400.1 申请日: 2010-08-03
公开(公告)号: CN103788652A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: T·E·卡内;J·M·巴尔托灵;M·L·邓巴;S·J·赫曼 申请(专利权)人: E.I.内穆尔杜邦公司
主分类号: C08L79/08 分类号: C08L79/08;C08K3/04;C08G73/10;C08J5/18;C09J7/02;C09J163/02;C09J163/04;C09J163/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及无光饰面聚酰亚胺膜及其相关方法,所述膜具有8至152微米的厚度、2至35的60度光泽度值、大于或等于2的光密度以及大于1400V/mil的介电强度。所述膜包含化学转化的(部分芳族的或全芳族的)聚酰亚胺,其量为所述基膜的71至96重量%。所述膜还包含颜料和聚酰亚胺颗粒消光剂。所述消光剂以所述膜的1.6至10重量%的量存在,并且具有1.3至10微米的中值粒度。所述颜料以所述基膜的2至9重量%的量存在。本发明还涉及表护层薄膜,其包括与粘合剂层结合的所述基膜。
搜索关键词: 无光 聚酰亚胺 及其 相关 方法
【主权项】:
基膜,所述基膜包含:A.化学转化的聚酰亚胺,其量为所述基膜的71至96重量%,所述化学转化的聚酰亚胺衍生自:a.基于所述聚酰亚胺的总二酐含量至少50摩尔%的芳族二酐,和b.基于所述聚酰亚胺的总二胺含量至少50摩尔%的芳族二胺;B.低电导率炭黑,其以所述基膜的2至9重量%的量存在,该低电导率炭黑选自槽法炭黑、炉法炭黑或者挥发份含量大于或等于1%的炭黑;以及C.聚酰亚胺颗粒消光剂,所述消光剂:a.以所述基膜的1.6至10重量%的量存在,b.具有1.3至10微米的中值粒度;采用Micro‑TRI‑Gloss光泽计测量,所述基膜具有2至35的60度光泽度值,并且基膜的两面是无光的。
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