[发明专利]一种静电驱动双稳态RFMEMS开关无效
| 申请号： | 201410026910.7 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103762123A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 田文超;陈志强;扈江磊 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电驱动双稳态RFMEMS开关，其包括：硅衬底，硅衬底设置有上电极、中间电极、两个下电极、两端固支梁和馈线；中间电极设置在上电极和下电极之间，由两端固支梁固定；在上电极和中间电极之间设置有碳化硅绝缘层；两个下电极中间位置设置有馈线，馈线顶部设置碳化硅绝缘层；两个下电极下表面两端设置有地线。本发明的开关避免电路中具有较大有效电压时，引起中间调节电极受到吸引力而造成信号的隔离，避免了开关的“自驱动”，提高了开关的稳定性。从而，电路所能承载的功率得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 驱动 双稳态 rfmems 开关 | ||
【主权项】：
一种静电驱动双稳态RFMEMS开关，其特征在于，其包括：硅衬底，硅衬底设置有上电极、中间电极、两个下电极、两端固支梁和馈线；中间电极设置在上电极和下电极之间，由两端固支梁固定；在上电极和中间电极之间设置有碳化硅绝缘层；两个下电极中间位置设置有馈线，馈线顶部设置碳化硅绝缘层；两个下电极下表面两端设置有地线。
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