[发明专利]基于插层结构C3N4纳米片高性能湿敏材料及制备方法有效
| 申请号： | 201410022785.2 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103787290A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张振翼;董斌;黄金斗;苑青 | 申请（专利权）人： | 大连民族学院 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人： | 郭丽华 |
| 地址： | 116600 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于插层结构C3N4纳米片高性能湿敏材料，其是一种以C3N4的原材料与碱金属氯化物以100：0.5～10质量比进行反应获得的碱金属氯化物插层C3N4纳米片的高性能湿敏材料，其制备方法如下：称取C3N4原材料与碱金属氯化物，经研磨混均后，装入马弗炉中，以5～20℃/min的速率升至450～600℃，并在该温度保持1～4个小时；待冷却后取出物料研细，放入溶剂中超声处理10～40分钟；将上面步骤制得的悬浊液离心分离，去掉上清液，在干燥箱中以40～100℃干燥1～8小时，得到碱金属氯化物插层C3N4纳米片湿敏材料。该制备方法工艺简单、容易操作、成本低廉，并且所制备的高性能湿敏材料具有高灵敏度、快速响应-恢复速度以及优异的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 结构 sub 纳米 性能 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于插层结构C3N4纳米片高性能湿敏材料，其特征在于：本发明是一种以C3N4的原材料与碱金属氯化物以100：0.5～10质量比进行反应获得的碱金属氯化物插层C3N4纳米片的高性能湿敏材料。
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