[发明专利]用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法有效
| 申请号： | 201410022709.1 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103776857A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宋佰鹏;张冠军;卜忍安;苏国强;穆海宝;邓军波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置及测量方法，包括设置于真空室中的电子枪和收集装置，收集装置由外向内依次为半球型收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网，上下开口的电子束通道腔贯穿收集极、第一层金属筛网和第二层金属筛网，电子束通道腔的上开口对准电子枪，下开口对准能够水平移动及转动的样品台，样品台上设置有样品，法拉第筒连接在样品台的一端。电子束通道腔可屏蔽收集极和两层筛网之间的外在偏压电场对电子束运动轨迹的影响。第二层金属筛网起到屏蔽收集极正偏压和第一层金属筛网负偏压的作用，营造无电场区域，使得电子通过该区域到达样品过程中不受外在电场影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二次电子 发射 系数 测量 半球 电子 收集 装置 测量方法 | ||
【主权项】：
用于二次电子发射系数测量的半球型电子收集装置，其特征在于，包括设置于真空室中的电子枪（1）和收集装置，收集装置由外向内依次为半球型收集极（3）、第一层金属筛网（4）和第二层金属筛网（5），上下开口的电子束通道腔（2）贯穿收集极（3）、第一层金属筛网（4）和第二层金属筛网（5），电子束通道腔（2）的上开口对准电子枪（1），下开口对准能够水平移动及转动的样品台（7），样品台（7）上设置有样品（6），法拉第筒（8）连接在样品台（7）的一端；所述的收集极（3）连接正偏压装置，第一层金属筛网（4）接地或连接负偏压装置，第二层金属筛网（5）接地。
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