[发明专利]一种二次电子发射薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410020285.5 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103789730A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;吴胜利;徐琳;魏强;李亨;付马龙 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种二次电子发射薄膜的制备方法，包括：1）在金属基底上沉积缓冲层；2）在缓冲层上沉积氧化镁与金属混合层，氧化镁与金属混合层采用溅射镁靶/氧化镁靶和溅射其他金属靶的方式沉积而成；3）在氧化镁与金属混合层上沉积表层。本发明步骤2）中，采用两个靶材分别沉积氧化镁和其它金属，单独控制各个靶材的溅射功率、溅射时间、工作气体和反应气体流量及基底温度制备出具有适当的氧化镁和金属晶粒尺寸、氧化镁结晶取向、金属含量及金属晶粒在膜层中的分布以及膜层厚度的氧化镁金属混合层；采用这种方法制备的二次电子发射薄膜既有高的二次电子发射系数，而且由于有好的导电性，因而其还有高的二次电子发射稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次电子 发射 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二次电子发射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、采用溅射钛、镍、铬、金、银、铂中一种材料的靶材或由其中几种材料组成的复合靶材在金属基底（4）上沉积缓冲层（1），其厚度为3‑100nm；2）、在缓冲层（1）上沉积氧化镁与金属混合层（2），氧化镁与金属混合层（2）采用溅射镁靶/氧化镁靶和溅射其他金属靶的方式沉积而成，其中所述的其他金属靶为金、银、铂材料中的一种靶材或由其中几种材料组成的复合靶材；氧化镁与金属混合层（2）的总厚度为30‑300nm；3）、在氧化镁与金属混合层（2）上沉积表层，其厚度为5‑20nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410020285.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可更换式耗能钢板组合开缝剪力墙
- 下一篇：预防药酒沉淀的方法
- 同类专利
- 专利分类
