[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201410016335.2 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928285A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 胜沼隆幸;本田昌伸;市川裕展 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，其特征在于，该等离子体处理方法包括以下工序：成膜工序，在该成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在上述第一构件的表面上形成氧化硅膜；等离子体处理工序，在该等离子体处理工序中，在上述第一构件的表面上形成上述氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到上述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；以及去除工序，在该去除工序中，在将经等离子体处理过的上述被处理体输出到上述腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自上述第一构件的表面去除上述氧化硅膜。
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