[发明专利]一种表面修饰铕的三氧化钨光电极及制备方法有效
| 申请号： | 201410015180.0 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103774196A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘润;潘微;许宜铭 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面修饰铕的三氧化钨光电极及制备方法。本发明的特点是以电沉积的方法得到无定形的氧化钨薄膜为基体，通过滴加法将铕均匀滴加于氧化钨薄膜表面，然后在一定温度下煅烧，得到一种铕表面修饰的三氧化钨光电极。本发明的光电性能显著提高，而且实验设备简单，操作简便，条件温和，且具有环境友好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 修饰 氧化钨 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面修饰铕的三氧化钨光电极，其特征在于，1）所述的光电极中铕与钨的原子质量比为1：99‑30：70；2）所述的光电极的组成颗粒变小；3）所述的光电极的发光强度随铕修饰量增加而加强；4）所述的光电极的带隙随铕修饰量增加而变宽；5）所述的光电极在0.8V电压下的光电流比纯三氧化钨光电极最大增加12倍。
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